由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性,氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜。
氮化鈦(TiN)具有典型的NaCl型結(jié)構(gòu),屬面心立方點陣,晶格常數(shù)a=0.4241nm,其中鈦原子位于面心立方的角頂。TiN是非化學(xué)計量化合物,其穩(wěn)定的組成范圍為TiN0.37-TiN1.16,氮的含量可以在一定的范圍內(nèi)變化而不引起TiN結(jié)構(gòu)的變化。TiN粉末一般呈黃褐色,超細TiN粉末呈黑色,而TiN晶體呈金。TiN熔點為2950℃,密度為5.43-5.44g/cm3,莫氏硬度8-9,抗熱沖擊性好。TiN熔點比大多數(shù)過渡金屬氮化物的熔點高,而密度卻比大多數(shù)金屬氮化物低,因此是一種很有特色的耐熱材料。TiN的晶體結(jié)構(gòu)與TiC的晶體結(jié)構(gòu)相似,只是將其中的C原子置換成N原子
對于GaN材料,長期以來由于襯底單晶沒有解決,異質(zhì)外延缺陷密度相當(dāng)高,但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學(xué)所制成1200mcd的 LED,1995年又制成Zcd藍光(450nmLED),綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發(fā)LED的 7年規(guī)劃,其目標(biāo)是到2005年研制密封在熒光管內(nèi)、并能發(fā)出白色光的高能量紫外光LED,這種白色LED的功耗僅為白熾燈的1/8,是熒光燈的1/2, 其壽命是傳統(tǒng)熒光燈的50倍~100倍。這證明GaN材料的研制工作已取相當(dāng)成功,并進入了實用化階段
AlN可穩(wěn)定到2200℃。室溫強度高,且強度隨溫度的升高下降較慢。導(dǎo)熱性好,熱膨脹系數(shù)小,是良好的耐熱沖擊材料。抗熔融金屬侵蝕的能力強,是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體,介電性能良好,用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層,能保護它在退火時免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎J覝叵屡c水緩慢反應(yīng).可由在氨或氮氣氛中800~1000℃合成,產(chǎn)物為白色到灰藍色粉末。或由Al2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應(yīng)合成,產(chǎn)物為灰白色粉末。或氯化鋁與氨經(jīng)氣相反應(yīng)制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過氣相沉積法合成
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